额定电压DC 25.0 V
额定电流 500 mA
额定功率 625 mW
击穿电压 -25.0 V
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
漏源极电压Vds 25.0 V
栅源击穿电压 25.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
击穿电压 25 V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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J105 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J105 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: J105 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 25V 500mA 3ohms 625mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J105 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET | 当前型号 | |
型号: NTE312 品牌: NTE Electronics 封装: TO-92 N-Channel -30V 15mA 500mW | 功能相似 | NTE ELECTRONICS NTE312 晶体管, JFET, JFET, -30 V, 5 mA, 15 mA, -6 V, TO-92, JFET | J105和NTE312的区别 | |
型号: MPF102G 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 25V 10mA | 功能相似 | JFET甚高频放大器 JFET VHF Amplifier | J105和MPF102G的区别 | |
型号: 2N5457G 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 25V 10mA 2mohms 310mW | 功能相似 | JFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion | J105和2N5457G的区别 |