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CGA4J3X5R1H475K125AB、GRM21BR61H475KE51K、GRM21BR61H475KE51L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CGA4J3X5R1H475K125AB GRM21BR61H475KE51K GRM21BR61H475KE51L

描述 TDK  CGA4J3X5R1H475K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 CGA系列, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 50 V, 0805 [2012 公制]0805 4.7uF ±10% 50V X5RMurata GRM 0805 X5R、X7R 和 Y5V 电介质Murata GRM 系列高介电常数类型尺寸小,电容值大,采用多层结构 高可靠性,无极性 通过在外部电极镀锡实现出色的可焊接性 去耦平滑电路和高于 200V 额定电压的钳减震器电路中的应用 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

数据手册 ---

制造商 TDK (东电化) muRata (村田) muRata (村田)

分类 陶瓷电容陶瓷电容陶瓷电容

基础参数对比

封装(公制) 2012 2012 2012

封装 0805 0805 0805

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

额定电压(DC) 50.0 V 50 V 50.0 V

电容 4.7 µF 4.7 µF 4.7 µF

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

产品系列 - GRM GRM

绝缘电阻 10 GΩ - -

电介质特性 X5R - X5R

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压 50 V - 50 V

精度 - - ±10 %

长度 2 mm 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

封装(公制) 2012 2012 2012

封装 0805 0805 0805

厚度 - - 1.25 mm

材质 X5R/-55℃~+85℃ X5R/-55℃~+85℃ X5R/-55℃~+85℃

工作温度 -55℃ ~ 85℃ - -55℃ ~ 85℃

温度系数 ±15 % - ±15 %

产品生命周期 Active Active Active

最小包装 2000 10000 3000

包装方式 Cut Tape (CT) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17