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CGA4J3X5R1H475K125AB

CGA4J3X5R1H475K125AB

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TDK(东电化) 被动器件

TDK  CGA4J3X5R1H475K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 CGA系列, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 50 V, 0805 [2012 公制]

CGA 汽车 0805，X5R、X7R 和 Y5V 电介质

TDK 的 CGA 系列多层陶瓷器 MLCC 可提供高度可靠的解决方案。采用精密技术，该系列 MLCC 由多个薄型陶瓷电介质层构成，提供高电容。这些 MLCC 具有低 ESR，确保低自加热和高纹波电阻。CGA 多层器还具有低 ESL 和极佳的频率特性。

### 特点和优势：

出色的耐热性

更高的机械强度

卓越的可靠性

熟练的制造工艺，保证性能

提供一系列电介质

适用于高精度自动安装

低杂散电容

### 应用：

这些 MLCC 符合 AEC-Q200 标准，适用于汽车应用。典型应用包括汽车电池线路平滑、传感器模块和引擎控制单元。CAG 系列陶瓷电容器特别适用于防锁制动系统和汽车娱乐系统。其他推荐应用包括智能仪表、智能栅格、太阳能逆变器、交流-直流电池充电器、运输和农业。

### 0805 系列

镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案，EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料；Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围，EIA II 级材料；这些特性十分适用于去耦应用。

CGA4J3X5R1H475K125AB中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

绝缘电阻 10 GΩ

电容 4.7 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X5R

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

材质 X5R/-55℃~+85℃

工作温度 -55℃ ~ 85℃

温度系数 ±15 %

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

最小包装 2000

制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, 工业, Portable Devices, 汽车级, 消费电子产品, Automotive, Consumer Electronics, Automotive Grade, 便携式器材, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CGA4J3X5R1H475K125AB引脚图与封装图
CGA4J3X5R1H475K125AB引脚图

CGA4J3X5R1H475K125AB引脚图

CGA4J3X5R1H475K125AB封装图

CGA4J3X5R1H475K125AB封装图

CGA4J3X5R1H475K125AB封装焊盘图

CGA4J3X5R1H475K125AB封装焊盘图

在线购买CGA4J3X5R1H475K125AB
型号 制造商 描述 购买
CGA4J3X5R1H475K125AB TDK 东电化 TDK  CGA4J3X5R1H475K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 CGA系列, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 50 V, 0805 [2012 公制] 搜索库存
替代型号CGA4J3X5R1H475K125AB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： CGA4J3X5R1H475K125AB

品牌： TDK 东电化

封装： 0805 4.7uF 50V 10per

当前型号

TDK  CGA4J3X5R1H475K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 CGA系列, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 50 V, 0805 [2012 公制]

当前型号

型号： C2012X5R1H475K125AB

品牌： 东电化

封装： 2012 4.7uF 50V 10per

完全替代

TDK  C2012X5R1H475K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 50 V, 0805 [2012 公制]

CGA4J3X5R1H475K125AB和C2012X5R1H475K125AB的区别

型号： GRM21BR61H475KE51L

品牌： 村田

封装： 0805 4.7uF 50V 10per

类似代替

Murata GRM 0805 X5R、X7R 和 Y5V 电介质Murata GRM 系列高介电常数类型尺寸小，电容值大，采用多层结构 高可靠性，无极性 通过在外部电极镀锡实现出色的可焊接性 去耦平滑电路和高于 200V 额定电压的钳减震器电路中的应用 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。

CGA4J3X5R1H475K125AB和GRM21BR61H475KE51L的区别

型号： C2012X5R1H475KT

品牌： 东电化

封装： 0805 4.7µF ±10% 50V X5R

类似代替

Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X5R, 15% TC, 4.7uF, Surface Mount, 0805, CHIP, LEAD FREE

CGA4J3X5R1H475K125AB和C2012X5R1H475KT的区别