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MPS5179G、MPS5179RLRAG、MPS5179对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS5179G MPS5179RLRAG MPS5179

描述 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 12.0 V 12.0 V 12.0 V

额定电流 50.0 mA 50.0 mA 50.0 mA

极性 N-Channel NPN N-Channel

耗散功率 200 mW - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V 12 V

增益 - - 15 dB

集电极最大允许电流 0.05A 0.05A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @3mA, 1V 25 @3mA, 1V 25 @3mA, 1V

额定功率(Max) 200 mW 200 W 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200000 mW 200000 mW

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Box (TB) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead