MPS5179G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 25 @3mA, 1V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPS5179G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MPS5179G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS5179G | ON Semiconductor 安森美 | 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPS5179G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS5179G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 12V 50mA 200mW | 当前型号 | 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MPS5179 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 12V 50mA 200mW | 完全替代 | 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon | MPS5179G和MPS5179的区别 |
| 型号： MPS5179RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 12V 50mA | 类似代替 | 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon | MPS5179G和MPS5179RLRAG的区别 |
| 型号： BF959G 品牌： 安森美 封装： TO-92 20V 100mA | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 20V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | MPS5179G和BF959G的区别 |