MPS5179RLRAG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 25 @3mA, 1V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPS5179RLRAG引脚图与封装图
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在线购买MPS5179RLRAG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS5179RLRAG | ON Semiconductor 安森美 | 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPS5179RLRAG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS5179RLRAG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 12V 50mA | 当前型号 | 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MPS5179G 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 12V 50mA 200mW | 类似代替 | 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon | MPS5179RLRAG和MPS5179G的区别 |
| 型号： MPS5179 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 12V 50mA 200mW | 类似代替 | 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon | MPS5179RLRAG和MPS5179的区别 |
| 型号： MPS5179RLRA 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon | MPS5179RLRAG和MPS5179RLRA的区别 |