BC850BLT1、BC850BLT1G对比区别

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型号 BC850BLT1 BC850BLT1G

描述 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 225 mW 225 mW

增益频宽积 - 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 225 mW

长度 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99