BC850BLT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC850BLT1引脚图与封装图
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在线购买BC850BLT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC850BLT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC850BLT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC850BLT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 100mA | 当前型号 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC850BLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BC850BLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE | BC850BLT1和BC850BLT1G的区别 |