IRLML0030TRPBF、SI2306BDS-T1-E3、ZXMN3B01FTA对比区别

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型号 IRLML0030TRPBF SI2306BDS-T1-E3 ZXMN3B01FTA

描述 INFINEON  IRLML0030TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 VVISHAY  SI2306BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 VZXMN3B01F 系列 N 沟道 30 V 0.15 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 - SOT-23-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.022 Ω 0.038 Ω 0.15 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.3 W 1.25 W 625 mW

阈值电压 1.7 V 3 V 700 mV

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.3A 3.16 A 2.00 A

上升时间 4.4 ns 12 ns 3.98 ns

热阻 - 100℃/W (RθJA) -

输入电容(Ciss) 382pF @15V(Vds) 305pF @15V(Vds) 258pF @15V(Vds)

下降时间 4.4 ns 10 ns 5.27 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 0.75 W 806 mW

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 2.00 A

通道数 - - 1

输入电容 382 pF - 258 pF

栅电荷 - - 2.93 nC

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

额定功率(Max) - - 625 mW

额定功率 1.3 W - -

长度 3.04 mm 3.04 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 1.02 mm 1.02 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17