额定功率 1.3 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 382 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.3A
上升时间 4.4 ns
输入电容Ciss 382pF @15VVds
下降时间 4.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Battery Protection, 电源管理, Load Switch Low Side, Load Switch, Load Switch High Side, DC Switches, Consumer Electronics, 消费电子产品, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRLML0030TRPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRLML0030TRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 5.3A | 当前型号 | INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 | |
型号: IRLML2030TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 2.7A | 类似代替 | INFINEON IRLML2030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V | IRLML0030TRPBF和IRLML2030TRPBF的区别 | |
型号: FDN357N 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 N-Channel 30V 1.9A 90mohms 235pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN357N 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 1.6 V | IRLML0030TRPBF和FDN357N的区别 | |
型号: NDS351AN 品牌: 飞兆/仙童 封装: SuperSOT N-Channel 30V 1.2A 250mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS351AN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 250 mohm, 10 V, 2.1 V | IRLML0030TRPBF和NDS351AN的区别 |