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ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

ZXMN3B01F 系列 N 沟道 30 V 0.15 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 - SOT-23-3

表面贴装型 N 通道 30 V 1.7A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3


立创商城:
N沟道 30V 1.7A


贸泽:
MOSFET 30V N Chnl UMOS


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this ZXMN3B01FTA power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 806 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3


ZXMN3B01FTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 2.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

阈值电压 700 mV

输入电容 258 pF

栅电荷 2.93 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 3.98 ns

输入电容Ciss 258pF @15VVds

额定功率Max 625 mW

下降时间 5.27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 806 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

ZXMN3B01FTA引脚图与封装图
ZXMN3B01FTA引脚图

ZXMN3B01FTA引脚图

在线购买ZXMN3B01FTA
型号 制造商 描述 购买
ZXMN3B01FTA Diodes 美台 ZXMN3B01F 系列 N 沟道 30 V 0.15 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 - SOT-23-3 搜索库存
替代型号ZXMN3B01FTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZXMN3B01FTA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 N-Channel 30V 2A 240mΩ 258pF

当前型号

ZXMN3B01F 系列 N 沟道 30 V 0.15 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 - SOT-23-3

当前型号

型号: BSH108@215

品牌: 恩智浦

封装: N-Channel 30V 1.9A

功能相似

BSH108@215

ZXMN3B01FTA和BSH108@215的区别