KSH117ITU、MJD117-1、MJD117-1G对比区别
型号 KSH117ITU MJD117-1 MJD117-1G
描述 Trans Darlington PNP 100V 2A 3Pin(3+Tab) IPAK TubePower Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3MJD 系列 100 V 2 A PNP 互补 达林顿 功率晶体管 - TO-252-3
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-251-3 - TO-251-3
极性 PNP - PNP
耗散功率 1750 mW - 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V - 100 V
集电极最大允许电流 2A - 2A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V - 1000 @2A, 3V
额定功率(Max) 1.75 W - 1.75 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
增益带宽 25MHz (Min) - 25MHz (Min)
耗散功率(Max) 1750 mW - 1750 mW
额定电压(DC) - - -100 V
额定电流 - - -2.00 A
无卤素状态 - - Halogen Free
针脚数 - - 3
最大电流放大倍数(hFE) - - 12000
直流电流增益(hFE) - - 12
高度 6.1 mm - -
封装 TO-251-3 - TO-251-3
工作温度 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 无铅 - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99