KSH117ITU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSH117ITU中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1750 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 25MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
高度 6.1 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
KSH117ITU引脚图与封装图
暂无图片
在线购买KSH117ITU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSH117ITU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans Darlington PNP 100V 2A 3Pin3+Tab IPAK Tube | 搜索库存 |
替代型号KSH117ITU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSH117ITU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： IPAK PNP 1750mW | 当前型号 | Trans Darlington PNP 100V 2A 3Pin3+Tab IPAK Tube | 当前型号 |
| 型号： MJD117-001 品牌： 安森美 封装： DPAK-3 PNP -100V -2A 1750mW | 类似代替 | 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors | KSH117ITU和MJD117-001的区别 |
| 型号： MJD117-1G 品牌： 安森美 封装： IPAK-4 PNP -100V -2A 1750mW | 功能相似 | MJD 系列 100 V 2 A PNP 互补 达林顿 功率晶体管 - TO-252-3 | KSH117ITU和MJD117-1G的区别 |
| 型号： MJD117-1 品牌： 三星 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 2A IC, 100V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3 | KSH117ITU和MJD117-1的区别 |