锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
MJD117-1G

MJD117-1G

数据手册.pdf

MJD 系列 100 V 2 A PNP 互补 达林顿 功率晶体管 - TO-252-3

- 双极 BJT - 单 PNP - 达林顿 25MHz 通孔 I-PAK


得捷:
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK


欧时:
ON Semiconductor, MJD117-1G


立创商城:
2.0 A，100 V，PNP 达林顿双极功率晶体管


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 25 MHz, 20 W, -2 A, 1000 hFE


艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin3+Tab DPAK-3 Tube


Jameco:
Transistor Darlington Pnp 100 Volt 2 Amp 3-Pin3+ Tab Dpak-SL Rail


Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin3+Tab DPAK-3 Rail


Verical:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin3+Tab DPAK-3 Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD117-1G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 25 MHz, 20 W, -2 A, 12 hFE


Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK


MJD117-1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -2.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数hFE 12000

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 12

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD117-1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJD117-1G
型号 制造商 描述 购买
MJD117-1G ON Semiconductor 安森美 MJD 系列 100 V 2 A PNP 互补 达林顿 功率晶体管 - TO-252-3 搜索库存
替代型号MJD117-1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJD117-1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： IPAK-4 PNP -100V -2A 1750mW

当前型号

MJD 系列 100 V 2 A PNP 互补 达林顿 功率晶体管 - TO-252-3

当前型号

型号： MJD117-001

品牌： 安森美

封装： DPAK-3 PNP -100V -2A 1750mW

类似代替

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

MJD117-1G和MJD117-001的区别

型号： KSH117ITU

品牌： 飞兆/仙童

封装： IPAK PNP 1750mW

功能相似

Trans Darlington PNP 100V 2A 3Pin3+Tab IPAK Tube

MJD117-1G和KSH117ITU的区别

型号： MJD117-001G

品牌： 安森美

封装：

功能相似

DPAK-3 PNP 100V 2A

MJD117-1G和MJD117-001G的区别