IPB108N15N3G、IPP200N15N3G、IPP200N15N3GXKSA1对比区别
型号 IPB108N15N3G IPP200N15N3G IPP200N15N3GXKSA1
描述 OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)150V,50A,N沟道功率MOSFET单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3-2 TO-220-3-123 TO-220-3
安装方式 - Through Hole Through Hole
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 214 W 150 W 150 W
额定功率 - - 150 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.016 Ω
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 1820 pF
漏源极电压(Vds) - - 150 V
连续漏极电流(Ids) - - 50A
上升时间 - - 11 ns
输入电容(Ciss) - - 1820pF @75V(Vds)
额定功率(Max) - - 150 W
下降时间 - - 6 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 150W (Tc)
封装 TO-263-3-2 TO-220-3-123 TO-220-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)