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CSD17577Q5A、CSD17577Q5AT、CSD17576Q5B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17577Q5A CSD17577Q5AT CSD17576Q5B

描述 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.8mΩ 8-VSONP -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q5AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.4 VCSD17576Q5B,30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSONP-8 VSONP-8 VSON-CLIP

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.0035 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 3 W 53 W 3.1 W

阈值电压 - 1.4 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 60A 60A 100A

上升时间 12 ns 12 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 2310pF @15V(Vds) 1780pF @15V(Vds) 4430pF @15V(Vds)

下降时间 2 ns 2 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 85 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta), 53W (Tc) 3W (Ta), 53W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)

通道数 1 - -

长度 - 5.8 mm -

宽度 - 5 mm -

高度 - 0.76 mm -

封装 VSONP-8 VSONP-8 VSON-CLIP

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -