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BD682G、TIP32CG、BD682TG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD682G TIP32CG BD682TG

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFEON SEMICONDUCTOR  TIP32CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-126-3

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 4.00 A -3.00 A -4.00 A

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 40 W 40 W 40000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 4A 3A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 10 @3A, 4V 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) 40 W 2 W 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 2000 mW 40000 mW

频率 - 3 MHz -

针脚数 3 3 -

增益频宽积 - 3 MHz -

热阻 - 3.125℃/W (RθJC) -

直流电流增益(hFE) 750 10 -

无卤素状态 Halogen Free - -

长度 7.74 mm 10.28 mm 7.74 mm

宽度 2.66 mm 4.83 mm 2.66 mm

高度 11.04 mm 9.28 mm 11.04 mm

封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - 8541290095 -