SI2304DDS-T1-GE3、SI2306BDS-T1-E3、TN0201K-T1-E3对比区别

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型号 SI2304DDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-E3 TN0201K-T1-E3

描述 VISHAY  SI2304DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 VVISHAY  SI2306BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 VVISHAY  TN0201K-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 420 mA, 20 V, 800 mohm, 4.5 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-236 TO-236 SOT-23

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.049 Ω 0.038 Ω 0.8 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.1 W 1.25 W 350 mW

阈值电压 2.2 V 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 3.16 A 420 mA

上升时间 50 ns 12 ns -

热阻 - 100℃/W (RθJA) -

输入电容(Ciss) 235pF @15V(Vds) 305pF @15V(Vds) -

下降时间 22 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.7 W 0.75 W -

长度 3.04 mm 3.04 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 1.02 mm 1.02 mm -

封装 TO-236 TO-236 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -