TN0201K-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 420 mA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TN0201K-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买TN0201K-T1-E3
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TN0201K-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY TN0201K-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 420 mA, 20 V, 800 mohm, 4.5 V, 2 V | 搜索库存 |