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TN0201K-T1-E3
TN0201K-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 420 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TN0201K-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TN0201K-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  TN0201K-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 420 mA, 20 V, 800 mohm, 4.5 V, 2 V 搜索库存