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SN65LVEP11D、SN65LVEP11DR、MC100LVEP11DG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN65LVEP11D SN65LVEP11DR MC100LVEP11DG

描述 TEXAS INSTRUMENTS  SN65LVEP11D  逻辑芯片, 扇出缓冲器2.5 V / 3.3 V PECL / ECL 1 : 2扇出缓冲器 2.5 V/3.3 V PECL/ECL 1:2 Fanout BufferON SEMICONDUCTOR  MC100LVEP11DG  差分线路驱动器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 2.50 V, 3.30 V 2.50 V, 3.30 V 2.38V (min)

输出接口数 2 2 2

电路数 1 1 1

耗散功率 840 mW 840 mW -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 840 mW 840 mW -

电源电压 2.375V ~ 3.8V 2.375V ~ 3.8V 2.375V ~ 3.8V

频率 3 GHz - 3 GHz

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 - - 50.0 mA

供电电流 28.0 mA - 38.0 mA

针脚数 8 - 8

电源电压(Max) 3.8 V - 3.8 V

电源电压(Min) 2.375 V - 2.375 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 5A991.b.1 - EAR99