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LM385BD-1.2G、LM385DR-1-2、LM385BD-1.2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385BD-1.2G LM385DR-1-2 LM385BD-1.2

描述 ON SEMICONDUCTOR  LM385BD-1.2G  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385B系列, 1.235V, NSOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  LM385DR-1-2  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 1.235V, SOIC-8微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference Diodes

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 10.0 A - 10.0 A

容差 ±1 % ±2 % ±1 %

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 -

输出电压(Max) 1.235 V 1.235 V -

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) 20 mA 20 mA -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

精度 1 % 2 % -

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

温度系数 ±80 ppm/℃ ±20 ppm/℃ ±80 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -