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LM385BD-1.2

LM385BD-1.2

数据手册.pdf

微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference Diodes

分流器 电压基准 IC ±1% 8-SOIC


得捷:
IC VREF SHUNT 1% 8SOIC


贸泽:
参考电压 1.2V 10uA-20mA


LM385BD-1.2中文资料参数规格
技术参数

额定电流 10.0 A

容差 ±1 %

输出电压 1.235 V

输出电流 20 mA

通道数 1

输出电压Min 1.235 V

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

温度系数 ±80 ppm/℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

LM385BD-1.2引脚图与封装图
LM385BD-1.2引脚图

LM385BD-1.2引脚图

LM385BD-1.2封装图

LM385BD-1.2封装图

LM385BD-1.2封装焊盘图

LM385BD-1.2封装焊盘图

在线购买LM385BD-1.2
型号 制造商 描述 购买
LM385BD-1.2 ON Semiconductor 安森美 微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference Diodes 搜索库存
替代型号LM385BD-1.2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: LM385BD-1.2

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: 8-SOIC 1.24V 20mA 8Pin

当前型号

微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference Diodes

当前型号

型号: LM385BD-1.2G

品牌: 安森美

封装: NSOIC 1.24V 20mA 8Pin

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  LM385BD-1.2G  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385B系列, 1.235V, NSOIC-8

LM385BD-1.2和LM385BD-1.2G的区别

型号: LM385BD-1-2

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 1.2V 20mA 8Pin

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  LM385BD-1-2  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385B系列, 1.235V, SOIC-8

LM385BD-1.2和LM385BD-1-2的区别

型号: LM385D-1.2R2G

品牌: 安森美

封装: NSOIC 1.24V 20mA 8Pin

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