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BUD42D-1G、BUD42DT4、BUD42DT4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUD42D-1G BUD42DT4 BUD42DT4G

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 650V 25W NPN高速,高增益双极NPN晶体管,抗饱和网络和瞬态电压抑制能力 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression CapabilityON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 350 V 350 V 350 V

额定电流 2.00 A 2.00 A 2.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 25 W - 25 W

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @2A, 5V 10 @2A, 5V 10 @2A, 5V

额定功率(Max) 25 W 25 W 25 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - 25 W 25 W

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 2.38 mm - 6.22 mm

高度 6.35 mm - 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99