BUD42DT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 350 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V
额定功率Max 25 W
耗散功率Max 25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BUD42DT4引脚图与封装图
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在线购买BUD42DT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUD42DT4 | ON Semiconductor 安森美 | 高速，高增益双极NPN晶体管，抗饱和网络和瞬态电压抑制能力 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability | 搜索库存 |
替代型号BUD42DT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUD42DT4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 NPN 350V 2A | 当前型号 | 高速，高增益双极NPN晶体管，抗饱和网络和瞬态电压抑制能力 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability | 当前型号 |
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