BUD42DT4G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 350 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 25 W
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BUD42DT4G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BUD42DT4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUD42DT4G | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor ### 标准 带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号BUD42DT4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUD42DT4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 NPN 350V 2A | 当前型号 | ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： BUD42DT4 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 NPN 350V 2A | 完全替代 | 高速，高增益双极NPN晶体管，抗饱和网络和瞬态电压抑制能力 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability | BUD42DT4G和BUD42DT4的区别 |
| 型号： BUD42D 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 350V 2A | 完全替代 | 高速，高增益双极NPN晶体管，抗饱和网络和瞬态电压抑制能力 High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability | BUD42DT4G和BUD42D的区别 |
| 型号： BUD42D-1G 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 NPN 350V 2A | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 4A 650V 25W NPN | BUD42DT4G和BUD42D-1G的区别 |