IPD50N06S4L-08、IPD90N06S4L-05、IPD50N06S4L-12对比区别

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型号 IPD50N06S4L-08 IPD90N06S4L-05 IPD50N06S4L-12

描述 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorMOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - 3

通道数 1 1 -

极性 N-CH N-CH N-CH

阈值电压 1.2 V 1.2 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 50A 90A 50A

输入电容(Ciss) 4780pF @25V(Vds) 8180pF @25V(Vds) 2220pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 71 W 107 W -

耗散功率 71 W - 50 W

上升时间 2 ns - 2 ns

下降时间 8 ns - 5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 71000 mW - 50 W

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm - 6.5 mm

高度 2.3 mm - 2.3 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃