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IPD50N06S4L-08

IPD50N06S4L-08

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
.
AEC Q101 qualified
.
MSL1 up to 260°C peak reflow
.
175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested
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Ultra low RDSon

Benefits:

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world"s lowest RDS at 60V on 
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD50N06S4L-08中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 71 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 4780pF @25VVds

额定功率Max 71 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Solenoids control, Valves control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD50N06S4L-08引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD50N06S4L-08
型号 制造商 描述 购买
IPD50N06S4L-08 Infineon 英飞凌 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPD50N06S4L-08
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD50N06S4L-08

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252-3 N-CH 60V 50A

当前型号

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

当前型号

型号： IPD90N06S4L-06

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 N-CH 60V 90A

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IPD50N06S4L-08和IPD90N06S4L-06的区别

型号： IPD50N06S4L-12

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 N-CH 60V 50A

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型号： IPD30N06S4L-23

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 N-CH 60V 30A

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