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IPD90N06S4L-05

IPD90N06S4L-05

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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AEC Q101 qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested
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Ultra low RDSon

Benefits:

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world"s lowest RDS at 60V on 
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD90N06S4L-05中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 90A

输入电容Ciss 8180pF @25VVds

额定功率Max 107 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 6.22 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD90N06S4L-05引脚图与封装图
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在线购买IPD90N06S4L-05
型号 制造商 描述 购买
IPD90N06S4L-05 Infineon 英飞凌 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPD90N06S4L-05
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD90N06S4L-05

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 60V 90A

当前型号

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

当前型号

型号: IPD90N06S4L-03

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 60V 90A

完全替代

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPD90N06S4L-05和IPD90N06S4L-03的区别

型号: IPD50N06S4L-08

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 60V 50A

类似代替

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IPD90N06S4L-05和IPD50N06S4L-08的区别

型号: IPD90N06S4L-06

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 60V 90A

类似代替

Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPD90N06S4L-05和IPD90N06S4L-06的区别