
极性 N-CH
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 2220pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Valves control, Solenoids control, Single-ended motors
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD50N06S4L-12 | Infineon 英飞凌 | MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPD50N06S4L-12 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-252-3 N-CH 60V 50A | 当前型号 | MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 当前型号 | |
型号: IPD50N06S4L-08 品牌: 英飞凌 封装: TO-252-3 N-CH 60V 50A | 类似代替 | 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor | IPD50N06S4L-12和IPD50N06S4L-08的区别 | |
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型号: IPD30N06S4L-23 品牌: 英飞凌 封装: TO-252-3 N-CH 60V 30A | 类似代替 | Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPD50N06S4L-12和IPD30N06S4L-23的区别 |