BSS63LT1、BSS63LT1G对比区别

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型号 BSS63LT1 BSS63LT1G

描述 高压晶体管 High Voltage TransistorON SEMICONDUCTOR  BSS63LT1G  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 95 MHz, 225 mW, -100 mA, 30 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) -100 V -100 V

额定电流 -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP

耗散功率 225 W 225 mW

增益频宽积 95 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 30 @25mA, 1V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

频率 - 95 MHz

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

额定功率(Max) - 225 mW

直流电流增益(hFE) - 30

耗散功率(Max) - 300 mW

长度 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99