极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 7930pF @50VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD19535KTT | TI 德州仪器 | CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD19535KTT 品牌： TI 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 100V 200A | 当前型号 | CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD19532KTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 100V 200A | 类似代替 | 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | CSD19535KTT和CSD19532KTT的区别 |
| 型号： CSD18542KTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 60V 200A | 类似代替 | 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | CSD19535KTT和CSD18542KTT的区别 |
| 型号： CSD19506KTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 80V 200A | 类似代替 | 80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2.3mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | CSD19535KTT和CSD19506KTT的区别 |
