MGSF1N02LT1、MGSF1N02LT3、MGSF1N02LT1G对比区别

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型号 MGSF1N02LT1 MGSF1N02LT3 MGSF1N02LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1..  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 V功率MOSFET 750毫安， 20伏 Power MOSFET 750 mAmps, 20 VoltsON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 750 mA - 750 mA

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 90 mΩ - 0.075 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 400 mW - 400 mW

阈值电压 1.7 V - 1.7 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V - 20.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 750 mA 0.75A 750 mA

上升时间 1 ns - 1 ns

输入电容(Ciss) 125pF @5V(Vds) - 125pF @5V(Vds)

下降时间 1 ns - 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 400mW (Ta) - 400mW (Ta)

输入电容 - - 125 pF

额定功率(Max) - - 400 mW

长度 2.9 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2018/01/15 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 - EAR99