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MGSF1N02LT1G

MGSF1N02LT1G

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ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V

N 通道功率 MOSFET，20V，

### MOSFET ，ON Semiconductor


立创商城:
MGSF1N02LT1G


得捷:
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MGSF1N02LT1G, 750 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
MOSFET NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
MGSF1N02LT1G N-channel MOSFET Transistor; 0.75 A; 20 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.75A; 0.4W; SOT23-6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V


力源芯城:
0.75A,20V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23


MGSF1N02LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 750 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 400 mW

阈值电压 1.7 V

输入电容 125 pF

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 750 mA

上升时间 1 ns

输入电容Ciss 125pF @5VVds

额定功率Max 400 mW

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial, 电源管理, 便携式器材, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 消费电子产品, Portable Devices, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

MGSF1N02LT1G引脚图与封装图
MGSF1N02LT1G引脚图

MGSF1N02LT1G引脚图

MGSF1N02LT1G封装图

MGSF1N02LT1G封装图

MGSF1N02LT1G封装焊盘图

MGSF1N02LT1G封装焊盘图

在线购买MGSF1N02LT1G
型号 制造商 描述 购买
MGSF1N02LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V 搜索库存
替代型号MGSF1N02LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MGSF1N02LT1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 20V 750mA 90mohms 125pF

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V

当前型号

型号： MGSF1N02LT1

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 20V 750mA 90mohms

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1..  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 V

MGSF1N02LT1G和MGSF1N02LT1的区别

型号： SI2306BDS-T1-E3

品牌： 威世

封装： SOT-23-3 N-Channel 30V 3.16A 94mΩ

功能相似

N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET

MGSF1N02LT1G和SI2306BDS-T1-E3的区别

型号： PMV56XN,215

品牌： 恩智浦

封装： SOT-23 N-Channel 20V 3.76A

功能相似

NXP  PMV56XN,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 20 V, 0.056 ohm, 4.5 V, 650 mV

MGSF1N02LT1G和PMV56XN,215的区别