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BF421ZL1G、BF423ZL1G、BF823,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF421ZL1G BF423ZL1G BF823,215

描述 高电压晶体管 High Voltage TransistorsON SEMICONDUCTOR  BF423ZL1G  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFEBF823 系列 300 V 50 mA PNP 高压 晶体管 - SOT23-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 SOT-23-3

频率 - 60 MHz 60 MHz

额定电压(DC) -300 V -250 V -

额定电流 -50.0 mA -50.0 mA -

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 830 mW 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V

额定功率(Max) 830 mW 830 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) - 50 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 830 mW 250 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 50 @25mA, 20V

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2018/01/15 -

ECCN代码 - EAR99 -