BF823,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BF823,215中文资料参数规格
技术参数
频率 60 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
最大电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF823,215引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BF823,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF823,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB PNP 0.25W | 当前型号 | BF823 系列 300 V 50 mA PNP 高压 晶体管 - SOT23-3 | 当前型号 |
| 型号： BF423L 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistors | BF823,215和BF423L的区别 |
| 型号： BF823T/R 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 250V 50mA | 类似代替 | TRANSISTOR 50 mA, 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal | BF823,215和BF823T/R的区别 |
| 型号： BF823 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 PNP | 功能相似 | NXP BF823 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE 新 | BF823,215和BF823的区别 |