BF423ZL1G中文资料参数规格
技术参数
频率 60 MHz
额定电压DC -250 V
额定电流 -50.0 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 830 mW
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 830 mW
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, Power Management, Industrial, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2018/01/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
BF423ZL1G引脚图与封装图 
BF423ZL1G引脚图
BF423ZL1G封装焊盘图
在线购买BF423ZL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BF423ZL1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BF423ZL1G 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFE | 搜索库存 |
替代型号BF423ZL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF423ZL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -250V -50mA 830mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BF423ZL1G 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFE | 当前型号 |
| 型号： BF423 品牌： 安森美 封装： TO-92 -250V -50mA | 完全替代 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | BF423ZL1G和BF423的区别 |
| 型号： BF423G 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -250V -50mA | 完全替代 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | BF423ZL1G和BF423G的区别 |
| 型号： BF823T/R 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 250V 50mA | 类似代替 | TRANSISTOR 50 mA, 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal | BF423ZL1G和BF823T/R的区别 |