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D45C11、D45C12G、BD243C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D45C11 D45C12G BD243C

描述 PNP电流驱动器晶体管 PNP Current Driver TransistorON SEMICONDUCTOR  D45C12G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 40 MHz, 30 W, 4 A, 120 hFESTMICROELECTRONICS  BD243C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V 100 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A 6.00 A

极性 PNP PNP, P-Channel NPN

耗散功率 60000 mW 30 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @200mA, 1V 40 @200mA, 1V 15 @3A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 120 - -

额定功率(Max) 60 W 30 W 65 W

直流电流增益(hFE) 20 120 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 30000 mW 65000 mW

频率 - 40 MHz 3 MHz

针脚数 - 3 3

集电极最大允许电流 - 4A -

额定功率 - - 65 W

长度 10.67 mm 10.28 mm 10.4 mm

宽度 4.83 mm 4.82 mm 4.6 mm

高度 9.4 mm 9.28 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 -