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D45C12G

D45C12G

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ON SEMICONDUCTOR  D45C12G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 40 MHz, 30 W, 4 A, 120 hFE

If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the PNP BJT, developed by , is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 30000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

D45C12G中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -4.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 40 @200mA, 1V

额定功率Max 30 W

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.28 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

D45C12G引脚图与封装图
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在线购买D45C12G
型号 制造商 描述 购买
D45C12G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  D45C12G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 40 MHz, 30 W, 4 A, 120 hFE 搜索库存
替代型号D45C12G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： D45C12G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-220-3 PNP -80V -4A 30000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  D45C12G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 40 MHz, 30 W, 4 A, 120 hFE

当前型号

型号： D45C12

品牌： 安森美

封装： TO-220-3 Dual P-Channel -80V -4A 30W

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