FDB14AN06LA0、STD6N95K5、STP75NF75对比区别
型号 FDB14AN06LA0 STD6N95K5 STP75NF75
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 60A ， 14.6mз N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mзSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 12.8 mΩ 1 Ω 0.0095 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 90 W 300 W
阈值电压 - 4 V 3 V
输入电容 2.90 nF 450 pF -
漏源极电压(Vds) 60 V 950 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 9A 80.0 A
上升时间 169 ns 12 ns 25.0 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 90 W 300 W
下降时间 50 ns 21 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 90W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V - 75.0 V
额定电流 60.0 A - 80.0 A
通道数 1 - 1
漏源击穿电压 60 V - 75.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
工作结温(Max) - - 175 ℃
栅电荷 3.00 nC - -
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 9.65 mm - 4.6 mm
高度 4.83 mm - 9.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99