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FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道PowerTrench MOSFET的60V , 60A , 14.6mз N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз

N-Channel 60V 10A Ta, 67A Tc 125W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


立创商城:
N沟道 60V 67A 10A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB


贸泽:
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


FDB14AN06LA0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 60.0 A

通道数 1

漏源极电阻 12.8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

输入电容 2.90 nF

栅电荷 3.00 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 169 ns

输入电容Ciss 2900pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDB14AN06LA0引脚图与封装图
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在线购买FDB14AN06LA0
型号 制造商 描述 购买
FDB14AN06LA0 Fairchild 飞兆/仙童 N沟道PowerTrench MOSFET的60V , 60A , 14.6mз N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз 搜索库存
替代型号FDB14AN06LA0
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDB14AN06LA0

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-263 N-Channel 60V 60A 2.9nF

当前型号

N沟道PowerTrench MOSFET的60V , 60A , 14.6mз N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз

当前型号

型号: STP55NF06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

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MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

FDB14AN06LA0和STP55NF06的区别

型号: STP55NF06L

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 55A 14mΩ

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型号: STD6N95K5

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 950V 9A

功能相似

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