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PBSS5220T,215、PBSS5320T,215、NSS20200LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5220T,215 PBSS5320T,215 NSS20200LT1G

描述 PBSS5220T 系列 20 V 2 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-23-3PBSS5320T 系列 20 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-23-3ON SEMICONDUCTOR  NSS20200LT1G  单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 710 mW, -2 A, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 300 mW 1.2 W 710 mW

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V 20 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @1A, 2V 200 @1A, 2V 250 @500mA, 2V

额定功率(Max) 480 mW 540 mW 460 mW

直流电流增益(hFE) 225 220 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

最大电流放大倍数(hFE) 225 @100mA, 2V - -

耗散功率(Max) 480 mW - 540 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 1.01 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 - - EAR99