PBSS5220T,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5220T,215中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 225 @100mA, 2V
额定功率Max 480 mW
直流电流增益hFE 225
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 480 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS5220T,215引脚图与封装图
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在线购买PBSS5220T,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5220T,215 | NXP 恩智浦 | PBSS5220T 系列 20 V 2 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-23-3 | 搜索库存 |
替代型号PBSS5220T,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS5220T,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB PNP 480mW | 当前型号 | PBSS5220T 系列 20 V 2 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-23-3 | 当前型号 |
| 型号： PBSS5320T,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB PNP 1.2W | 类似代替 | PBSS5320T 系列 20 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-23-3 | PBSS5220T,215和PBSS5320T,215的区别 |
| 型号： NSS20200LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 540mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NSS20200LT1G 单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 710 mW, -2 A, 300 hFE | PBSS5220T,215和NSS20200LT1G的区别 |