NSS20200LT1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NSS20200LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 710 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V
额定功率Max 460 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, 便携式器材, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
NSS20200LT1G引脚图与封装图 
NSS20200LT1G引脚图
NSS20200LT1G封装图
NSS20200LT1G封装焊盘图
在线购买NSS20200LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NSS20200LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR NSS20200LT1G 单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 710 mW, -2 A, 300 hFE | 搜索库存 |
替代型号NSS20200LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NSS20200LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 540mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR NSS20200LT1G 单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 710 mW, -2 A, 300 hFE | 当前型号 |
| 型号： NSV20200LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 540mW | 类似代替 | NSS20200L: 低饱和压晶体管，PNP，-20 V，4.0 A | NSS20200LT1G和NSV20200LT1G的区别 |
| 型号： DSS20200L-7 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 1200mW | 功能相似 | DSS20200L 系列 20 V 2 A 低 VCESAT PNP 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3 | NSS20200LT1G和DSS20200L-7的区别 |
| 型号： PBSS5220T,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB PNP 480mW | 功能相似 | PBSS5220T 系列 20 V 2 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-23-3 | NSS20200LT1G和PBSS5220T,215的区别 |