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MJE15030、MJE15030G、MJE3055TG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE15030 MJE15030G MJE3055TG

描述 8安培功率晶体管互补硅120-150伏, 50瓦 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTSON SEMICONDUCTOR  MJE15030G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 150 V, 30 MHz, 50 W, 8 A, 40 hFEON SEMICONDUCTOR  MJE3055TG  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 5 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 30 MHz 30 MHz 2 MHz

额定电压(DC) 150 V 150 V 60.0 V

额定电流 8.00 A 8.00 A 10.0 A

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 50 W 50 W 75 W

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 60 V

热阻 - 2.5℃/W (RθJC) 1.67℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - 8A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 2V 40 20 @4A, 4V

额定功率(Max) 50 W 50 W 75 W

直流电流增益(hFE) - 40 2

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 50000 mW 75000 mW

长度 - 10.28 mm 10.28 mm

宽度 - 4.83 mm 4.82 mm

高度 - 9.28 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99