MJE15030中文资料参数规格
技术参数
频率 30 MHz
额定电压DC 150 V
额定电流 8.00 A
耗散功率 50 W
击穿电压集电极-发射极 150 V
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 2V
额定功率Max 50 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE15030引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJE15030
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE15030 | ON Semiconductor 安森美 | 8安培功率晶体管互补硅120-150伏， 50瓦 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTS | 搜索库存 |
替代型号MJE15030
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE15030 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 150V 8A | 当前型号 | 8安培功率晶体管互补硅120-150伏， 50瓦 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTS | 当前型号 |
| 型号： MJE15030G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 150V 8A 50000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJE15030G 单晶体管 双极, 音频, NPN, 150 V, 30 MHz, 50 W, 8 A, 40 hFE | MJE15030和MJE15030G的区别 |
| 型号： 2N6491G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -80V 15A 1800mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6491G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 5 MHz, 1.8 W, -15 A, 5 hFE | MJE15030和2N6491G的区别 |
| 型号： 2N4922G 品牌： 安森美 封装： TO-225-3 NPN 60V 1A 30000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N4922G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE | MJE15030和2N4922G的区别 |