MJE3055TG中文资料参数规格
技术参数
频率 2 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 10.0 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 75 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
热阻 1.67℃/W RθJC
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
额定功率Max 75 W
直流电流增益hFE 2
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE3055TG引脚图与封装图 
MJE3055TG引脚图
MJE3055TG封装图
MJE3055TG封装焊盘图
在线购买MJE3055TG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE3055TG | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJE3055TG 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 5 hFE 新 | 搜索库存 |
替代型号MJE3055TG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE3055TG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220 NPN 60V 10A 75000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJE3055TG 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 5 hFE 新 | 当前型号 |
| 型号： 2N4922G 品牌： 安森美 封装： TO-225-3 NPN 60V 1A 30000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N4922G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE | MJE3055TG和2N4922G的区别 |
| 型号： MJE3055T 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 N-Channel 60V 10A 75W | 类似代替 | 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors | MJE3055TG和MJE3055T的区别 |