FDMC6679AZ、FDZ206P、FDMC7692对比区别

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型号 FDMC6679AZ FDZ206P FDMC7692

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC6679AZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0086 ohm, -10 V, -1.8 VP沟道2.5V指定的PowerTrench P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchPowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 Power-33-8 WFBGA-30 PowerWDFN-8

漏源极电阻 0.0086 Ω 9.50 mΩ 0.0072 Ω

极性 P-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 41 W 2.2W (Ta) 29 W

阈值电压 1.8 V - 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 11.5A 13.0 A 13.3A

上升时间 14 ns - 4 ns

输入电容(Ciss) 3970pF @15V(Vds) 4280pF @10V(Vds) 1680pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.3 W 2.2 W 2.3 W

下降时间 46 ns - 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.2W (Ta) 2.3W (Ta), 29W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

漏源击穿电压 30 V 20.0 V -

额定电压(DC) - -20.0 V -

额定电流 - -13.0 A -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

长度 3.3 mm - 3.3 mm

宽度 3.3 mm - 3.3 mm

高度 0.75 mm - 0.75 mm

封装 Power-33-8 WFBGA-30 PowerWDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - EAR99 -