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FDMC6679AZ

FDMC6679AZ

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC6679AZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0086 ohm, -10 V, -1.8 V

The is a P-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is designed to minimize losses in load switch applications. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest RDS ON and ESD protection. It is suitable for load switch and battery pack applications.

.
High performance Trench technology for extremely low RDS ON
.
High power and current handling capability
.
8kV Typical HBM ESD protection level
FDMC6679AZ中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0086 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 41 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 11.5A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 3970pF @15VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 46 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.3W Ta, 41W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.75 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

香港进出口证 NLR

FDMC6679AZ引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMC6679AZ Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC6679AZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0086 ohm, -10 V, -1.8 V 搜索库存
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型号: FDMC6679AZ

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: MLP P-Channel 30V 11.5A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC6679AZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0086 ohm, -10 V, -1.8 V

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