
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -13.0 A
漏源极电阻 9.50 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.2W Ta
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
输入电容Ciss 4280pF @10VVds
额定功率Max 2.2 W
耗散功率Max 2.2W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 WFBGA-30
封装 WFBGA-30
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDZ206P | Fairchild 飞兆/仙童 | P沟道2.5V指定的PowerTrench P-Channel 2.5V Specified PowerTrench | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDZ206P 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: 30-WFBGA P-Channel 20V 13A 9.5mohms | 当前型号 | P沟道2.5V指定的PowerTrench P-Channel 2.5V Specified PowerTrench | 当前型号 | |
型号: FDMC6679AZ 品牌: 飞兆/仙童 封装: MLP P-Channel 30V 11.5A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC6679AZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0086 ohm, -10 V, -1.8 V | FDZ206P和FDMC6679AZ的区别 | |
型号: FDMC7692 品牌: 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 30V 13.3A | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDZ206P和FDMC7692的区别 | |
型号: FDMC7672 品牌: 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 30V 16.9A | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDZ206P和FDMC7672的区别 |