漏源极电阻 0.0072 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 29 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13.3A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1680pF @15VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 29W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerWDFN-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerWDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDMC7692 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FDMC7692 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 30V 13.3A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 | |
型号: FDMC6679AZ 品牌: 飞兆/仙童 封装: MLP P-Channel 30V 11.5A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC6679AZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0086 ohm, -10 V, -1.8 V | FDMC7692和FDMC6679AZ的区别 | |
型号: FDMC7672 品牌: 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 30V 16.9A | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDMC7692和FDMC7672的区别 | |
型号: FDMC7692S 品牌: 飞兆/仙童 封装: MLP N-Channel 30V 12.5A | 功能相似 | N沟道功率沟槽? SyncFETTM N-Channel Power Trench? SyncFETTM | FDMC7692和FDMC7692S的区别 |